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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET?第四代 N沟道功率MOSFET

2019-04-02 10:41 来源: 打印 扫码手机看

  器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平

  宾夕法尼亚、MALVERN—2019年2月21日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

  日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

  SiR626DP改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

  MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

  SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周,视市场情况而定。


  VISHAY概况

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站www.vishay.com。

                                                                                                                                      (张艳 乔治 杨坤)


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